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Samsung - 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND
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MZ-V9V1T0BW
101 Artículos
  • Características
  • SDD, capacidad: 1000 GB
  • Factor de forma de disco SSD: M.2
  • Interfaz: PCI Express 4.0
  • NVMe: Sí
  • Versión NVMe: 2.0
  • Tipo de memoria: V-NAND
  • Componente para: PC
  • Encriptación de hardware: Sí
  • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES, TCG Opal 2.0
  • Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
  • Velocidad de lectura: 7150 MB/s
  • Velocidad de escritura: 6450 MB/s
  • Lectura aleatoria (4KB): 700000 IOPS
  • Escritura aleatoria (4KB): 1100000 IOPS
  • Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
  • Función DevSleep: Sí
  • Revisión PCI Express CEM: 4.0
  • Soporte S.M.A.R.T.: Sí
  • Soporte TRIM: Sí
  • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
  • Control de energía
  • Voltaje de operación: 3.3 V
  • Consumo de energía (lectura): 4 W
  • Consumo de energía (escritura): 3.7 W
  • Consumo de energía (espera): 0.055 W
  • Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 3 mW
  • Peso y dimensiones
  • Ancho: 80.15 mm
  • Profundidad: 2.38 mm
  • Altura: 22.15 mm
  • Empaquetado
  • Tipo de embalaje: Caja
  • Condiciones ambientales
  • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
  • Golpes en funcionamiento: 1500 G

Samsung - 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND

MZ-V9V1T0BW
8806099020699
DISCO M.2 NVMe 1TB SAMSUNG 990EVO MZ-V9V1T0BW PCIe 4.0
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