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MZ-VAP4T0CW
17 Artículos
- Características
- SDD, capacidad: 4000 GB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Versión NVMe: 2.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Sí
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 14800 MB/s
- Velocidad de escritura: 13400 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 2200000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Control de energía
- Voltaje de operación: 3.3 V
- Consumo de energía (lectura): 9 W
- Consumo de energía (escritura): 8.2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 9 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 8.2 W
- Consumo de energía (espera): 0.007 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5.7 mW
- Peso y dimensiones
- Ancho: 80.15 mm
- Profundidad: 8.88 mm
- Altura: 80.15 mm
- Peso: 30 g
- Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
- Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
Samsung - MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP4T0CW
MZ-VAP4T0CW
8806095811659
8806095811659
Samsung MZ-VAP4T0 4 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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