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MZ-VAP1T0BW
50 Artículos
- Características
- SDD, capacidad: 1000 GB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 5.0
- NVMe: Sí
- Versión NVMe: 2.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC/Consola de videojuegos
- Encriptación de hardware: Sí
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 14700 MB/s
- Velocidad de escritura: 13300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 2600000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express: x4
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Control de energía
- Voltaje de operación: 3.3 V
- Consumo de energía (lectura): 7.6 W
- Consumo de energía (escritura): 7.2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 7.6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 7.2 W
- Consumo de energía (espera): 0.004 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 3.3 mW
- Peso y dimensiones
- Ancho: 80.15 mm
- Profundidad: 2.38 mm
- Altura: 80.15 mm
- Peso: 9 g
- Empaquetado
- Tipo de embalaje: Caja
- Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
- Otras características
- Periodo de garantía: 5 año(s)
Samsung - MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC - MZ-VAP1T0BW
MZ-VAP1T0BW
8806095811628
8806095811628
Samsung MZ-VAP1T0 1 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC
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