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MZ-V9S2T0BW
50 Artículos
- Características
- SDD, capacidad: 2000 GB
- Factor de forma de disco SSD: M.2
- Interfaz: PCI Express 4.0
- NVMe: Sí
- Versión NVMe: 2.0
- Tipo de memoria: V-NAND TLC
- Componente para: PC
- Encriptación de hardware: Sí
- Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
- Tamaño de la unidad SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura: 7250 MB/s
- Velocidad de escritura: 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB): 1000000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB): 1350000 IOPS
- Función DevSleep: Sí
- Soporte S.M.A.R.T.: Sí
- Soporte TRIM: Sí
- Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
- Control de energía
- Voltaje de operación: 3.3 V
- Consumo de energía (lectura): 4.6 W
- Consumo de energía (escritura): 4.2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura): 4.6 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura): 4.2 W
- Consumo de energía (espera): 0.06 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño): 5 mW
- Peso y dimensiones
- Ancho: 80.15 mm
- Profundidad: 2.38 mm
- Altura: 80.15 mm
- Peso: 9 g
- Empaquetado
- Ancho del paquete: 139 mm
- Profundidad del paquete: 102 mm
- Altura del paquete: 24 mm
- Peso del paquete: 70 g
- Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento: 1500 G
Samsung - MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
MZ-V9S2T0BW
0887276843681
0887276843681
DISCO M.2 NVMe 2TB SAMSUNG 990EVO MZ-V9S2T0BW PCIe 4.0 READ 7250MB/s WRITE 6300MB/s
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